应学院邀请，3月18日，中国科学院微电子研究所副研究员、硕士生导师毕津顺博士来学院交流访问。

毕津顺博士为师生做了题为“抗辐照SOI技术”的高水平专题学术讲座。他首先回顾了SOI技术的发展历史、与体硅工艺相比所具有的技术优点，介绍了主流的SOI生产工艺技术、SOI物理模型等，并重点介绍了SOI工艺中存在的各种辐照效应，比如单粒子效应和总剂量效应，还介绍了包括采用高密度体接触的电路结构等在内的各种抗辐照的SOI技术。

毕津顺博士还与部分教师、留学生以及本科生就中国科学院的科创计划等感兴趣的内容进行了深入探讨和交流。

来自校区相关院系的老师、研究生和本科生近100人参加了报告会。  

毕津顺博士简介

中国科学院微电子研究所副研究员，硕士生导师，中国科学院大学岗位教授，中国科学院青年创新促进会成员，IEEE Member。主要从事抗辐照工艺开发和器件设计，研制半导体器件/电路辐照效应模拟评估系统, 研究深亚微米器件和电路的辐照响应，损伤机制以及抗辐照加固技术。发表各类论文八十余篇，已授权国内发明专利19项。国家自然科学基金评议人，《半导体学报》、《Science China》、《Chinese Physics B》、《Radiation Effects and Defects in Solids》等期刊审稿人，2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员。主持或参与国家科技重大专项（02专项）子课题2项，国家重点基础研究发展计划项目（973）子课题1项，国家自然基金创新群体项目1项，国家自然基金重点项目1项，国家自然基金面上项目2项和军工项目若干。